你要知道的薄膜鍵盤工業(yè)“晶點(diǎn)”問題發(fā)表時(shí)間:2019-01-09 14:14 1、什么是晶點(diǎn) 晶點(diǎn)實(shí)際上是“過度聚合物”,即:“晶點(diǎn)”部位聚合物的分子量要高于周圍同種聚合物的分子量。由于分子量高,因此,晶點(diǎn)部位聚合物具有較高的熔點(diǎn)#FormatStrongID_2#在熔化時(shí),熔體具有較高的粘度。晶點(diǎn)部位聚合物在吹膜或流延時(shí),不能與周圍的同種聚合物相互均勻分散、混合,并在熔體吹成或流延成薄膜后,先于周圍的同種聚合物凝固。因此,形成“箭頭狀”或“球狀”過度聚合物的凝固體,習(xí)慣上被稱為“晶點(diǎn)”。 ![]() 2. 晶點(diǎn)產(chǎn)生的原因 物料原因 (1)聚合物中有殘留的催化劑; (2)聚合物熔體粘滯于生產(chǎn)設(shè)備(包括聚合設(shè)備及吹膜設(shè)備)金屬表面,在高溫下,殘留的; (3)催化劑對聚合物繼續(xù)進(jìn)行催化聚合作用,因此形成過度聚合物; 聚合物中所含的氧,也會(huì)使聚合物熔體產(chǎn)生晶點(diǎn)(加入一定數(shù)量的抗氧劑,有防止氧對晶點(diǎn)的產(chǎn)生作用)。 工藝原因 (1)由聚合工藝所造成的晶點(diǎn)。不同的聚合設(shè)備及工藝,對晶點(diǎn)的生成有不同的影響。例如:一些名廠原料,因生產(chǎn)技術(shù)高,聚合物中殘留的催化劑含量低,設(shè)備結(jié)構(gòu)好,因此,原料本身所含的晶點(diǎn)少。但一些品質(zhì)較差的原料,因生產(chǎn)技術(shù)及設(shè)備問題,造成原料本身所含的晶點(diǎn)多。 (2)由工藝所造成的晶點(diǎn)。例如:好的成型設(shè)備所制備的薄膜,晶點(diǎn)少。差的設(shè)備所制的薄膜,晶點(diǎn)多。 3. 減少或基本消除晶點(diǎn)的方法 綜上所述,在薄膜吹制工藝中消除晶點(diǎn),主要有兩個(gè)途徑: (1)提高加工設(shè)備的濾網(wǎng)細(xì)度(例如:將濾網(wǎng)改為120目,甚或150目-用于超薄膜)。 (2)在生產(chǎn)過程中添加表面潤滑劑,使被加工的聚合物熔體不能粘滯于吹膜設(shè)備表面。 從生產(chǎn)工藝上來說,雖使用較細(xì)的濾網(wǎng)可濾除大部份聚合物中的原生晶點(diǎn),同時(shí)亦可濾除設(shè)備螺桿及炮筒部位因聚合物粘滯于螺桿表面所造成的晶點(diǎn),但問題是設(shè)備背壓因此提高,對某些陳舊成型設(shè)備來說,難以做到。因此,依靠勤換濾網(wǎng),也能對控制晶點(diǎn)提供幫助。 |